【摘要】：根据霍尔效应原理做成的器件叫作霍尔元件。霍尔元件一般采用具有N型的锗、锑化铟和砷化铟等半导体单晶材料制成。锑化铟元件的输出较大，但受温度的影响也较大。因此，以砷化铟为霍尔元件的材料得到普遍应用。霍尔元件结构很简单，是一种半导体四端薄片，它由霍尔片、引线和壳体组成。霍尔片的相对两侧对称地焊上两对电极引出线，如图8－2所示。霍尔片一般用非磁性金属、陶瓷或环氧树脂封装。
根据霍尔效应原理做成的器件叫作霍尔元件。霍尔元件一般采用具有N型的锗、锑化铟和砷化铟等半导体单晶材料制成。锑化铟元件的输出较大，但受温度的影响也较大。锗元件的输出虽小，但它的温度性能和线性度却比较好。砷化铟元件的输出信号没有锑化铟元件大，但是受温度的影响却比锑化铟的要小，而且线性度也较好。因此，以砷化铟为霍尔元件的材料得到普遍应用。
霍尔元件结构很简单，是一种半导体四端薄片，它由霍尔片、引线和壳体组成。霍尔片的相对两侧对称地焊上两对电极引出线，如图8－2（a）所示。其中，一对 （a、b端）称为激励电流端；另外一对 （c、d端）称为霍尔电势输出端，引线焊接处要求接触电阻小，而且呈现纯电阻性质 （欧姆接触）。霍尔片一般用非磁性金属、陶瓷或环氧树脂封装。
图8－2 霍尔元件
（a）霍尔元件结构示意图；（b）图形符号；（c）外形图
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