【摘要】：当金属晶粒尺寸为纳米量级时，由于具有很高的表面能，极容易氧化，所以制备技术中采取惰性气体保护是必要的。射频等离子体技术采用射频场频率为10～20 MHz，以H2稀释的SiH4为气源，在射频电磁场作用下，使SiH4经过离解、激发、电离以及表面反应等过程，在衬底表面生长成纳米硅薄膜。采用激光增强等离子体技术，在激光作用下分解高度稀释的SiH4气体，产生等离子体，然后淀积生长出纳米薄膜。
10.4.2 纳米材料的制备
1．惰性气体淀积法
当金属晶粒尺寸为纳米量级时，由于具有很高的表面能，极容易氧化，所以制备技术中采取惰性气体（如He、Ar）保护是必要的。制备在蒸发系统中进行，将原始材料在约1 Pa的惰性气氛中蒸发，蒸发出来的原子与惰性气体原子相互碰撞，降低了动能，在温度处于77 K的冷阱上淀积下来，形成尺寸为数纳米的疏松粉末。
2．还原法
在金属元素的酸溶液，加入以柠檬酸钠为还原剂迅速混合溶液，并还原成具有纳米尺寸的金属颗粒，形成悬浮液，为了防止纳米微粒的长大，加入分散剂，最后去除水分，就得到含有超微细金属颗粒构成的纳米材料薄膜。
3.化学气相淀积法
射频等离子体技术采用射频场频率为10～20 MHz，以H2稀释的SiH4为气源，在射频电磁场作用下，使SiH4经过离解、激发、电离以及表面反应等过程，在衬底表面生长成纳米硅薄膜。
采用激光增强等离子体技术，在激光作用下分解高度稀释的SiH4气体，产生等离子体，然后淀积生长出纳米薄膜。
免责声明：以上内容源自网络，版权归原作者所有，如有侵犯您的原创版权请告知，我们将尽快删除相关内容。
