【摘要】：按照缺陷相对于晶体的大小，可将晶体缺陷分为以下四类。如果在某一方向上缺陷区的尺寸可以与晶体或晶粒的线度相比拟，而在其他方向上的尺寸相对于晶体或晶粒线度可以忽略不计，那么这种缺陷便称为线缺陷或位错。由上可见，点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷可以近似地分别看成是零维、一维、二维、三维缺陷。不论哪种晶体缺陷，其浓度都是十分低的。虽然如此，缺陷对晶体性质的影响却非常大。
实际晶体中不是所有原子都严格地按周期性规律排列，因为晶体中存在着一些微小的区域或穿过这些区域时，原子排列的周期性受到破坏。这样的区域便称为晶体缺陷。按照缺陷相对于晶体的大小，可将晶体缺陷分为以下四类。
（1）点缺陷。如果在任何方向上缺陷区的尺寸都远小于晶体或晶粒的线度，因而可以忽略不计，那么这种缺陷就称为点缺陷。例如，溶解于晶体中的杂质原子就是点缺陷。晶体点阵结点上的原子进入点阵间隙中时便同时形成两个点缺陷——空位和间隙原子，等等。
（2）线缺陷。如果在某一方向上缺陷区的尺寸可以与晶体或晶粒的线度相比拟，而在其他方向上的尺寸相对于晶体或晶粒线度可以忽略不计，那么这种缺陷便称为线缺陷或位错。
（3）面缺陷。如果在共面的各方向上缺陷区的尺寸可与晶体或晶粒的线度相比拟，而在穿过该面的任何方向上缺陷区的尺寸都远小于晶体或晶粒的线度，那么这种缺陷便称为面缺陷。
（4）体缺陷。如果在任意方向上缺陷区的尺寸都可以与晶体或晶粒的线度相比拟，那么这种缺陷就是体缺陷。例如，亚结构（嵌镶块）、沉淀相、空洞、气泡、层错四面体等缺陷都是体缺陷。
由上可见，点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷可以近似地分别看成是零维、一维、二维、三维缺陷。不论哪种晶体缺陷，其浓度（或缺陷总体积与晶体体积之比）都是十分低的。虽然如此，缺陷对晶体性质的影响却非常大。例如，它影响到晶体的力学性质、物理性质（如电阻率、扩散系数等）、化学性质（如耐蚀性）以及冶金性能（如固态相变）等。
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