【摘要】：研究量子点材料制备方法及其电调制谱对量子点性质的研究具有重要的意义。我们在硅酸盐玻璃中用两步退火法制备了CdSSe半导体量子点。高分辨透射电镜像表明CdSSe结晶良好，由喇曼谱确定出其组分为CdS0.1Se0.9。本文在室温下测量了它的室温电调制吸收谱，实验表明，CdSSe纳晶表现出很好的共振和非共振三阶光学非线性性能及量子尺寸效应。
CdSSe纳晶的制备及其电调制吸收光谱
CdSSe纳晶的制备及其电调制吸收光谱[1]
颜其礼[2] 黄 平 谢林华
（四川师范大学固体物理研究所，成都 610066）
【摘要】用两步退火法在玻璃中制备了CdSSe纳晶，并测量了它的室温电调制吸收光谱（EA），实验表明，CdSSe纳晶表现出很好的共振和非共振三阶光学非线性性能及量子尺寸效应。
【关键词】量子点；CdSSe；电调制吸收光谱
半导体纳米晶体作为一类具有非线性光学性质的新型材料，由于激子受限而具有大的三阶非线性极化率和非线性响应快等优点，在低能开关、各种调制器等非线性光学器件方面显示出广阔的应用前景，因此近十年来，其理论和实验工作受到广泛重视[1～3]。实验上采用了多种方法研究纳晶的光学非线性性质，如Z扫描法、简并四波混频法、光调制、电调制等。其中，电调制谱因具有灵敏度和分辨率高、信息丰富等优点，被广泛用来研究半导体材料的能带结构及光学性质。研究量子点材料制备方法及其电调制谱对量子点性质的研究具有重要的意义。
我们在硅酸盐玻璃中用两步退火法制备了CdSSe半导体量子点。高分辨透射电镜（TEM）像表明CdSSe结晶良好，由喇曼谱确定出其组分为CdS0.1Se0.9。本文在室温下测量了它的室温电调制吸收谱，实验表明，CdSSe纳晶表现出很好的共振和非共振三阶光学非线性性能及量子尺寸效应。
免责声明：以上内容源自网络，版权归原作者所有，如有侵犯您的原创版权请告知，我们将尽快删除相关内容。
