【摘要】：此短路通道等效于降低并联电阻。经过刻蚀工序，硅片边缘的带有的磷将会被去除干净，避免PN结短路造成并联电阻降低。在扩散过程中，POCl3与O2反应生成P2O5淀积在硅片表面。同时磷硅玻璃的存在使PECVD后产生色差，在PECVD工序将使镀的SixNy容易发生脱落，降低电池的转换效率。氢氟酸能够溶解二氧化硅是因为氢氟酸与二氧化硅反应生成易挥发的四氟化硅气体。若氢氟酸过量，反应生成的四氟化硅会进一步与氢氟酸反应生成可溶性的络合物六氟硅酸。
1．刻蚀目的
由于在扩散过程中，即使采用背靠背的单面扩散方式，硅片的所有表面（包括边缘）都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路。此短路通道等效于降低并联电阻。经过刻蚀工序，硅片边缘的带有的磷将会被去除干净，避免PN结短路造成并联电阻降低。
2．去PSG目的
在扩散过程中，POCl3与O2反应生成P2O5淀积在硅片表面。P2O5与Si反应又生成SiO2和磷原子，这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，称为磷硅玻璃。磷硅玻璃的存在使得硅片在空气中表面容易受潮，导致电流的降低和功率的衰减。磷硅玻璃死层的存在大大增加了发射区电子的复合，会导致少子寿命的降低，进而降低了Voc和Isc。同时磷硅玻璃的存在使PECVD后产生色差，在PECVD工序将使镀的SixNy容易发生脱落，降低电池的转换效率。去除原理是，利用HF与SiO2能够快速反应的化学特性，使硅片表面的PSG溶解。氢氟酸能够溶解二氧化硅是因为氢氟酸与二氧化硅反应生成易挥发的四氟化硅气体。若氢氟酸过量，反应生成的四氟化硅会进一步与氢氟酸反应生成可溶性的络合物六氟硅酸。
主要反应方程式
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