沟道刻蚀工艺

9.6　沟道刻蚀工艺

在光刻胶刻蚀工艺结束后是漏源电极的第二次湿刻，如图9.34（a）所示，然后将光刻胶剥离，如图9.34（b）所示。在这个基础上进行沟道刻蚀，最终得到的刻蚀效果如图9.34（c）所示。沟道刻蚀也是采用RIE刻蚀模式，要求有较高的刻蚀速率、良好的刻蚀均匀性，保证沟道深度一致，同时要求有比较高的刻蚀选择比。

图9.34　沟道刻蚀的工艺位置

沟道刻蚀的工艺条件主要由沟道刻蚀工艺条件指定表《CH-DE条件指定表》和沟道刻蚀装置使用规则《CH-DE装置规格书》这两个文件规定。

条件指定表主要设定工艺条件。例如，批量生产的技术（产品用的Recipe）、灰尘检查的技术（particle check用的Recipe）、沟道刻蚀速率测试的技术（CHDE刻蚀测定用Recipe）、沟道刻蚀实验的技术（Seasoning用的Recipe）、工艺条件的日常点检等。参见表9.12～表9.14。

表9.13　TFT沟道刻蚀灰尘检查条件（参考Recipe）

表9.14　TFT沟道刻蚀检查工艺条件（参考Recipe）

沟道刻蚀装置规格书的主要内容包括：

相关装置的规格书，如使用设备的技术要求、材料（半成品、部材、辅助材料等）的要求、设备的操作方法、沟道刻蚀作业的准备工作、沟道刻蚀处理基本操作、发生警报时处理方法、调整与刻蚀速率测定、灰尘检查的操作程序、工艺条件的确认程序、量产沟道段差超出规格的处置方法、长期连休前后产品的处理办法、停电/瞬时电压低下时产品的处理程序、作业安全以及注意事项、长期连休时设备的停机方法、长期连休时设备的开机方法等。

沟道刻蚀装置与硅岛刻蚀装置相同。沟道刻蚀的对象是完成了漏源电极光刻胶刻蚀和第二次湿刻以后的半成品TFT基板。使用的材料主要是四氟化碳、六氟化硫、氯化氢和氦气、动力气体氧气、氮气和高压空气，其他的辅助材料如无尘手套、工业乙醇和无尘布等。

实际操作是在Online模式下进行的。注意操作软件设定状态确认。

沟道刻蚀在Online状态下进行操作时，均为自动搬送，一般没有特别的操作。

（1）调整与刻蚀率测定作业：由于设备清扫或故障等原因工作舱被打开或者大气进入工作舱都要对沟道刻蚀速率重新测定，以确保作业的准确性。正常情况下每3天需要对设备做一次沟道刻蚀速率的定期检查。沟道刻蚀速率要求控制在1 920～2 400～2 880·min^-1的范围，刻蚀均一性要求在±20%以下。

刻蚀速率的测定方法参见本章硅岛刻蚀速率测定方法。调整用实验基板可循环使用20次。调整实验基板每4天要做一次成膜前洗净。

（2）灰尘检查作业参见本章硅岛灰尘检查作业方法。

（3）灰尘检统计过程控制（SPC）数据输入：为了便于对批量生产设备进行实时监控和查看其随时间推移的变化趋势，每次灰尘检查的所有数据（包括不合格的数据和重做的数据）都必须输入统计过程控制表。SPC的作用是收集现场各个工程、设备的各种数据，并根据工程管理方法进行分析和绘制报表。表9.15所示是SPC干刻工程灰尘手动输入界面各个项目的说明表。