【摘要】：为了找出与GT部沟道宽度与D线线宽目标值对应的不同曝光量与光刻胶刻蚀量的最佳组合，可以选用两组不同的光刻胶厚度，例如，2.05μm和2.20μm，按照下面的数据设置相应的两组不同的过曝光量： 过曝光量×光刻胶刻蚀量 过曝光量×光刻胶刻蚀量对16块玻璃基板进行光刻胶刻蚀和两次湿刻，然后用自动线幅测定装置测量光刻胶剥离后的D-Bus线幅。将测量结果与表7.12中的设计数据进行比较，找出最佳光刻胶刻蚀的曝光条件。
7.6.3 光刻胶刻蚀
1.光刻胶刻蚀量
为了找出与GT部沟道宽度与D线线宽目标值对应的不同曝光量与光刻胶刻蚀量的最佳组合，可以选用两组不同的光刻胶厚度，例如，2.05μm和2.20μm，按照下面的数据设置相应的两组不同的过曝光量：
（光刻胶厚度2.05μm） 过曝光量（±0μm，＋0.2μm，＋0.4μm，＋0.6μm）×光刻胶刻蚀量（11 000
，13 000
，15 000
，17 000
）
（光刻胶厚度2.20μm） 过曝光量（±0μm，＋0.2μm，＋0.4μm，＋0.6μm）×光刻胶刻蚀量（11 000
，13 000
，15 000
，17 000
）
对16块玻璃基板进行光刻胶刻蚀和两次湿刻，然后用自动线幅测定装置测量光刻胶剥离后的D-Bus线幅。测量位置和点数参考图7.33。将测量结果与表7.12中的设计数据进行比较，找出最佳光刻胶刻蚀的曝光条件。
2.光刻胶刻蚀腔室的影响
在光刻胶厚度2.05μm与光刻胶厚度2.20μm条件下，将3层CVD成膜后镀铬膜的实验基板各9张，经确认光刻胶刻蚀量影响一样的曝光处理后，放入3个光刻胶刻蚀腔室进行光刻胶刻蚀，然后用自动线幅测定装置，测量光刻胶剥离后的D-Bus线幅，确认光刻胶刻蚀的3个不同腔室对刻蚀后沟道宽度和D-Bus线线宽结果的影响。
表7.12 判定规格与基准
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