【摘要】：漏源电极和硅岛光刻显影后，及光刻胶刻蚀实施完成后，用AFM测定沟道处光刻胶残膜厚度最大和最小的两个位置。对分别在3个预烘焙烘箱中进行烘焙的3张只镀铬膜的实验基板的测定结果进行比较。在灰度掩模板曝光工艺中对产品质量有影响的参数很多，其中最主要的是曝光速度的影响。除了曝光速度外，曝光机的聚焦、后烘温度、掩模板的图案的尺寸、光刻胶的种类及涂布膜厚、曝光机选用的狭缝宽等对GTM形状都有影响。
7.6.4 GT部光刻胶断面形状的确认
漏源电极和硅岛光刻显影后，及光刻胶刻蚀实施完成后，用AFM测定沟道处光刻胶残膜厚度最大和最小的两个位置。对分别在3个预烘焙烘箱中进行烘焙的3张只镀铬膜的实验基板的测定结果进行比较。
在灰度掩模板曝光工艺中对产品质量有影响的参数很多，其中最主要的是曝光速度的影响。图7.35～图7.37是曝光速度与沟道残膜厚度、残膜沟道长度、残膜沟道倾斜角的实验关系。随着曝光速度的增加，残膜厚T值增加，而残膜沟道长度和残膜沟道的倾斜角θ都随着曝光速度的增加而减小。
除了曝光速度外，曝光机的聚焦、后烘温度、掩模板的图案的尺寸、光刻胶的种类及涂布膜厚、曝光机选用的狭缝宽等对GTM形状都有影响。
图7.35 残膜厚度与曝光机扫描速度的关系
图7.36 沟道宽度与曝光机扫描速度的关系
图7.37 接触角与曝光机扫描速度的关系
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