【摘要】：但是在a-Si-TFT的生产中，由于生产允许温度基本在150～220℃之间，因此要达到最佳的成膜条件，提高温度是受到严格限制的。Tm是材料的熔点，T是成膜时的基板温度。评价薄膜的质量，还有一个重要指标就是薄膜的应力。随着温度的升高，成膜时微观缺陷减少，内应力下降。选择合适的基板加热温度对于降低膜的应力有较大影响。
5.5.5 成膜温度的确定
溅射离子随着温度的升高，热运动能力增强，扩散速度加快导致成膜温度越高，形成的膜质越致密，相应的物理光学性能变好，而耐化学环境腐蚀能力加强。但是在a-Si-TFT的生产中，由于生产允许温度基本在150～220℃之间，因此要达到最佳的成膜条件，提高温度是受到严格限制的。图5.23所示是通过大量实验建立的一个直流磁控溅射薄膜的微细构造模型。在这个模型中，金属膜的微观构造分成4个类型。Tm是材料的熔点，T是成膜时的基板温度（简称成膜温度）。当T/Tm＜0.3时，趋于形成纤维状的晶粒，粒度中等；0.3＜T/Tm＜0.5时，趋于形成柱状构造；而当T/Tm＞0.5时，形成块状粗大的晶粒。随着T/Tm的增大，密度逐渐变大，比阻抗变小，镜面反射率增大。一般情况下，铬、钼-钕、ITO的膜的构造属于T区范围，而铝-铌膜材料熔点较低，处于T-2区的范围内。
图5.23 溅射薄膜的微细构造模型
评价薄膜的质量，还有一个重要指标就是薄膜的应力。应力越大，膜的脆性越大。随着温度的升高，成膜时微观缺陷减少，内应力下降。选择合适的基板加热温度对于降低膜的应力有较大影响。
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