【摘要】：霍尔效应原理示意图如图4.3所示。由于这个现象是德国物理学家霍尔1879年发现的，故把这种现象称为霍尔效应。在经过特殊工艺制造的半导体材料这种效应更为显著。因此，目前的霍尔元件都是用半导体材料制成的。利用这种原理制成的霍尔传感器可以用来检测外界变化磁场或做无触点控制的传感元件。由于霍尔元件的上述特点，故用霍尔元件制成的传感器在自动控制系统中应用相当广泛。
霍尔传感器是依据霍尔效应制成的器件。
霍尔效应原理示意图如图4.3所示。把半导体材料的薄片放在磁场中，并让磁场B和薄片平面垂直。当在薄片左右两个面a、b上通以电流I时，在既与电流方向垂直又与磁场垂直的方向上，即在前后两个面c、d上有电位差UH存在。由于这个现象是德国物理学家霍尔1879年发现的，故把这种现象称为霍尔效应。
上述这种霍尔效应不仅在半导体材料上存在，而且在金属材料上也存在。在经过特殊工艺制造的半导体材料这种效应更为显著。因此，目前的霍尔元件都是用半导体材料制成的。
图4.3 霍尔效应原理图
假设图4.3中外磁场B的方向是周期性交替改变的，则UH的极性也必然要做周期性的改变，于是便能获得一个与外界磁场极性同步的交变电压，即由交变磁场转变为交变电压。利用这种原理制成的霍尔传感器可以用来检测外界变化磁场或做无触点控制的传感元件。由于霍尔元件的上述特点，故用霍尔元件制成的传感器在自动控制系统中应用相当广泛。
免责声明：以上内容源自网络，版权归原作者所有，如有侵犯您的原创版权请告知，我们将尽快删除相关内容。
