存储器实验

7．1　存储器实验

7．1．1　实验目的

（1）通过实验熟悉ARM的内部存储空间分配．

（2）掌握对存储区进行配置的方法．

（3）掌握对存储区进行读写访问的方法．

7．1．2　实验设备

（1）硬件：Embest EduKit－Ⅲ实验平台，ULINK USB－JTAG仿真器套件，PC．

（2）软件：μVision IDE for ARM集成开发环境，Windows 98／2000／NT／XP／7．

7．1．3　实验内容

（1）熟练使用命令脚本文件对ARM存储控制寄存器进行正确配置．

（2）使用C语言编程，实现对RAM的读写访问．

7．1．4　实验原理

（1）存储控制器．

有关存储控制器的实验原理部分请参考本书6．1．

（2）片选信号设置和外围地址空间分配．

Embest　ARM教学实验系统的外围地址空间分配和片选信号设置如表7－1所示：

表7－1　S3C2410X的片选信号设置和外围地址空间分配

续表

7．1．5　实验操作步骤

（1）准备实验环境．

使用ULINK USB－JTAG仿真器连接到目标板上．使用Embest EduKit－Ⅲ实验板附带的串口线，连接实验板上的UART0和PC的串口．

（2）串口接收设置．

在PC上运行windows自带的超级终端串口通信程序（波特率115200、1位停止位、无校验位、无硬件流控制），或者使用其他串口通信程序．

（3）打开实验例程．

①拷贝实验平台附带光盘CD1＼CD1＿Basic＿070615＼Software文件夹到RealView MDK软件的安装目录的Keil＼ARM＼Boards＼Embest＼目录下（如果已经拷贝，可跳过此步骤）．

②使用μVision IDE for ARM通过ULINK USB－JTAG仿真器连接实验板，打开实验例程目录4．1＿memory＿test子目录下的memory＿test．Uv2例程，编译链接工程．

③根据ReadMe目录下的ReadMeCommon．txt及readme．txt文件配置集成开发环境（工程默认已经配置正确），点击工具栏“”，在Option for Target对话框的Linker页中选择RuninRAM．sct分散加载文件，点击MDK的Debug菜单，选择Start／Stop Debug Session项或点击工具栏“”，下载工程生成的．axf文件到目标板的RAM中调试运行．

④如果需要将程序烧写固化到Flash中，仅需要更改分散加载文件即可（须慎用，这一步的操作将会破坏Flash中原有固化程序，建议实验中不操作）．在Option for Target对话框的Linker页中选择RuninFlash．sct分散加载文件，重新编译工程，点击MDK的Flash菜单，选择Download烧写调试代码到目标系统的Nor Flash中，重启实验板，实验板将会运行烧写到Nor Flash中的代码．

⑤打开Memory窗口，点击Memory1在地址输入栏中输入0x3e000000．

⑥在工程管理窗口中双击memory＿test．c就会打开该文件，在约第37行（＊pt＝（UINT32T）pt；）设置断点后，点击Debug菜单Go键运行程序．

⑦当程序停留到断后，按F10，在Memory1窗口中观察地址的内容并与地址相比较，对比是否一致，继续执行F10．

⑧去掉断点，按F5并执行程序，观察超级终端串口程序的输出．

⑨结合实验内容和实验原理部分，掌握汇编语言和高级语言程序访问RAM指令的使用方法．

（4）观察实验结果．

在PC机上观察超级终端程序主窗口，可以看到如下界面：

boot　success．．．

Memory　Test（3e000000h－30ff0000h）：WR

Memory　Test（3e000000h－30ff0000h）：RD

O．K．

7．1．6　实验参考程序及流程图

图7－1　存储器实验流程图

代码

7．1．7　练习题

1．找出上述实验程序存在的问题（有错误），修改并调试．

2．编写程序对SRAM进行字节、半字的读写访问．