【摘要】：图12.3示出了一个2×2硅衬底平面光波导开关器件结构图。这种器件具有马赫—曾德尔干涉仪结构形式，它包含两个3dB定向耦合器和两个长度相等的波导臂，波导芯和包层的折射差较小，只有0.3%。波导芯尺寸为8μm×8μm，包层厚50μm。这种器件的交换原理是基于硅介质波导内的热—电效应，平时偏压为零时，器件处于交叉连接状态。当加热波导臂时，它可以切换到平行连接状态。但是，它的缺点是响应速度较慢，为1～2ms。
12.2.3 硅衬底平面光波导开关
图12.3示出了一个2×2硅衬底平面光波导开关器件结构图。这种器件具有马赫—曾德尔干涉仪（MZI）结构形式，它包含两个3dB定向耦合器和两个长度相等的波导臂，波导芯和包层的折射差较小，只有0.3%。波导芯尺寸为8μm×8μm，包层厚50μm。每个臂上带有铬薄膜加热器，其尺寸为50μm宽，5mm长。该器件的尺寸为30mm×3mm。这种器件的交换原理是基于硅介质波导内的热—电效应，平时偏压为零时，器件处于交叉连接状态。当加热波导臂时（一般需要0.4W），它可以切换到平行连接状态。这种器件的优点是插入损耗小（0.5dB），稳定性好，可靠性高、成本低，适合于大规模集成。但是，它的缺点是响应速度较慢，为1～2ms。
图12.3 硅衬底平面光波导开关示意结构及逻辑表示
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