北京兆易创新科技股份有限公司保留着一幅照片,那是科技部部长和北京市科委等许多领导在听取兆易创新的产品报告。中国政府相关部门、清华大学同行等都非常重视兆易创新,因为他们知道兆易创新是一个有着巨大潜力和创新动力的新型企业。
兆易创新,这是一个有着硅谷的技术背景却又能够填补中国市场、撬动中国政府资源的公司。政府和VC的双重青睐带给兆易创新的收获不只是融资和支持本身,同时也印证了一个理念,一个关乎“海归”大陆创业的生存法则:双栖法则,即把握海外的优势,抓紧国内的资源,将海外的技术引入国内,把中国的企业推向全球。
归巢之喜PK无“芯”之痛
由于种种历史原因,中国的芯片产业远远落后于发达国家,国内的芯片需求百分之九十以上依靠进口。这就是长期困扰许多中国人的无“芯”之痛。改革开放以后,中国的工业设计水平大幅提高。由于经济水平的提高和市场需求的扩大,世界的芯片产业逐渐东移。
在这种机遇形势下,国家大力鼓励芯片生产企业的发展,制定了一系列优惠政策吸引海外学子归国创业,鼓励硅谷精英们带着技术回来报效祖国。兆易创新正是在这样一个背景下回到了祖国的怀抱,使国内的“无芯工业”有了新的灵魂,新的希望。这样一种引凤归巢的喜悦,属于社会,属于整个芯片产业,属于整个创新创业的新时代。
为了保证持续的创新动力,兆易创新选择了充分竞争,在竞争中获取进步动力和创新源泉。
立足存储多元发展
从20世纪60~70年代的美国,到80年代的日本,再到90年代的韩国和台湾的崛起,存储器产业转移的脉络非常清晰。三星代表着存储器在韩国的崛起。
存储器对技术先进性要求较高,其关键技术基本掌握在国外公司的手中,中国长期以来一直没有本土的设计公司,使得我国各方面的发展受制于人,极大地影响了发展速度。中国这么大的国家和市场,应该有自己的存储器设计公司。在此背景下,为了促进中国半导体行业的发展,兆易创新应运而生。
凭借骄人的市场表现,兆易创新先后被授予中关村科技园区“百家创新型企业”和“2009年重大科技成果产业化突出贡献单位”称号;2010—2012年,公司Flash产品以良好的销售业绩先后获得3届由工信部软件与集成电路促进中心颁发的“年度最佳市场表现奖”;入选清科“2011年中国最具投资价值的企业50强”;获得由中国半导体协会颁发的2012“中国十强最具成长性半导体企业”奖。
作为国内存储器设计的领军企业,兆易创新的未来值得期待。对全球产业链的准确定位和对中国应用市场的熟悉,使兆易创新有望在未来几年成为中国IC设计企业的领导者之一。而那一块块闪烁着辉煌光芒的行业奖牌,似乎在诠释兆易创新的理想和努力。
2013年,兆易创新又推出了几个轰动业界的创新产品:基于ARM Cortex-M3架构的32位通用MCU产品,以及8-Pin封装的SPI NAND FLASH产品,多元化的发展使兆易创新奠定了行业中的领先地位。GD32MCU是中国首个基于ARM Cortex-M3内核的32位通用微控制器产品系列,力争为用户带来优异的系统性能与灵活的应用体验,其先进的片上资源配置,出色的实时控制能力及优化的功耗设计可以满足工业现场、消费电子及便携设备对性能和价格的双重需求。该产品和市场同类产品相比具有明显优势,填补了国内相关领域的空白,并在短期内迅速占领市场,打破了欧美厂商的垄断。
2013年,兆易创新与清华大学微电子所联合成立了“先进非挥发存储器联合研究中心”,充分利用清华大学科研优势和兆易创新的产业化能力,以企业需求为导向,联合开展在非挥发存储技术领域的研究和应用,对未来先进非挥发存储器技术进行探索,为我国的存储器产业的发展做出更大的贡献。
·链接
兆易创新,成立于2005年4月,是国内首家专业从事存储器及相关芯片设计的集成电路设计公司,致力于各种高速和低功耗存储器的研究及开发。在核心技术方面,兆易创新拥有高速、低功耗存储器的专利技术——dySRAMTM和gFlashTM,量产我国国产第一颗串行闪存产品,填补了国内空白,打破了国外的技术垄断。目前公司已经申请了发明专利70余项,并获得18项授权专利。2014年1月,兆易创新研发的“GD32系列32位通用微控制器”入选“2013中关村十大创新成果”。
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