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三极管的伏安特性

时间:2022-02-12 理论教育 版权反馈
【摘要】:三极管的伏安特性是指三极管各极间电流与电压的关系。将三极管的发射极作为公共端,基极与发射极作为输入端、集电极和发射极作为输出端形成共射电路,三极管的共射伏安特性可以由图2 3 3中的电路进行实验测出。所以,在截止区,三极管的两个结均处于反向偏置状态。当三极管处于饱和状态时,如果保持基极电流iB的值不变,集电极电流i C会随着uCE的增大迅速增大。饱和时三极管c与e间的电压记作UCES,称为饱和压降。

三极管的伏安特性是指三极管各极间电流与电压的关系。它是分析三极管放大性能的主要依据。将三极管的发射极作为公共端,基极与发射极作为输入端、集电极和发射极作为输出端形成共射电路,三极管的共射伏安特性可以由图2 − 3 − 3中的电路进行实验测出。

图2 − 3 − 3 三极管伏安特性测试电路

1. 输入特性

当uCE不变时,输入回路中的电流iB与电压uBE之间的关系曲线称为输入特性,即

图2 − 3 − 4(a)为实测的输入特性曲线。显然,这一曲线与二极管正向特性曲线相似,在此就不作进一步分析了。

2. 输出特性

当iB不变时,输出回路中的电流iC与电压uCE之间的关系曲线称为输出特性,即

图2 − 3 − 4(b)为实测的输出特性曲线。该曲线的测试过程如下:

调节RW使iB=40μA,维持这一值不变,逐渐调大VCC ,可测得图2 − 3 − 4(b)中iB=40μA所示的曲线。当取不同的iB值时,可得到图2 − 3 − 4(b)中所示的曲线簇。

图2 − 3 − 4 三极管伏安特性

(a)输入特性;(b)输出特性

从输出特性曲线可看出:

(1)曲线起始部分较陡。iC=0,uCE=0,uCE↑→ iC↑。

(2)当uCE增加到大于1 V时,曲线变化逐渐趋于平稳。uCE进一步增大,曲线也不再产生显著变化,而呈现一条基本与横轴平行的直线。

在三极管的输出特性曲线上,可以把三极管的工作状态分为三个区域,即截止区、放大区和饱和区,如图2 − 3 − 4(b)所示。

(1)截止区。

一般将iB≤0的区域称为截止区。在图中为iB=0的一条曲线的以下部分,此时iC也近似为零。由于此时各极电流都基本上等于零,因而此时三极管没有放大作用。

此时发射结反向偏置,发射区不再向基区注入电子,三极管处于截止状态。所以,在截止区,三极管的两个结均处于反向偏置状态。对NPN三极管,uBE<0,uBC<0。

(2)放大区。

放大区,即曲线上比较平坦的部分,此时发射结正向偏置,集电结反向偏置。表示当iB一定时,iC的值基本上不随uCE而变化。在这个区域内,当基极电流发生微小的变化量ΔiB时,相应的集电极电流将产生较大的变化量ΔiC,iC相当于是受iB控制的受控电流源,有电流放大作用。此时二者的关系为

对于NPN三极管,工作在放大区时,uBE≥0.7V,而uBC<0。

(3)饱和区。

在输出特性曲线上,饱和区确切范围不易明显地划出,它大致在曲线簇的左侧,uCE较小的区域(uCE u<BE ),如图2 − 3 − 4(b)所示。

当三极管处于饱和状态时,如果保持基极电流iB的值不变,集电极电流i C会随着uCE的增大迅速增大。此时三极管失去了电流放大作用。

饱和时三极管c与e间的电压记作UCES,称为饱和压降。一般小功率硅管的UCES≈0.3V,锗管UCES≈ 0.1V。

此时发射结、集电结都处于正向偏置,三极管处于饱和状态。当集电极外接电阻RC阻值很大,或者集电极电流iC较大时就会出现这种情况。

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