功率半导体器件

功率半导体器件种类繁多，分类方法也多种多样。通常按照开关控制性能分为不可控型器件、半控型器件和全控型器件。不可控型器件为无控制端口的二端器件，不具备可控开关功能，如功率二极管；半控型器件为有控制端口的三端器件，但其控制端在器件导通后失去控制功能，即无关断能力，关断必须借助外部条件，晶闸管及其大部分派生器件均属于这一类器件；全控型器件也是有控制端的三端器件，但其控制端具有控制器件导通和关断的双重功能，也称为自关断器件，GTO、GTR、IGBT均属于这一类器件。

功率器件正向着大容量、高可靠性、装置体积小、节约电能和智能化方向发展。除了早期使用的功率二极管、晶闸管外，目前常用的器件主要有门极可关断晶闸管（GTO）、大功率晶体管（GTR）、功率场效应晶体管（MOSFET）、绝缘栅极晶体管（IGBT）、MOS控制晶闸管（MCT）等。从新能源汽车的应用上看，MOSFET、IGBT具有较好的应用前景。