半导体分立器件的命名方法

九、半导体分立器件的命名方法

（一）国产半导体分立器件的命名法

根据国家标准《半导体器件型号命名方法》，半导体器件型号由五部分组成，如表1－9。第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。

第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的类型。

第四部分：用数字表示序号。

第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。

表1－9　国产半导体分立器件各部分字母意义

例如：

（1）锗材料PNP型低频大功率三极管：

（2）硅材料NPN型高频小功率三极管：

（二）国际电子联合会半导体器件命名法

这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：

第一部分：用字母表示器件使用的材料。

第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。

第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。

第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志（详细见表1－10）。

除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：

①稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1％、±2％、±5％、±10％、±15％；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。

②整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。

③晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。

例如：

表1－10　国际电子联合会半导体分立器件各部分字母意义

例：

（三）美国半导体器件型号命名法

美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：

第一部分：用符号表示器件用途的类型，JAN——军级、JANTX——特军级、JANTXV——超特军级、JANS——宇航级、（无）——非军用品。

第二部分：用数字表示PN结数目，1—二极管、2—三极管、3—三个PN结器件、n—n个PN结器件。

第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志，N—该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。

第四部分：美国电子工业协会登记顺序号，多位数字—该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。

第五部分：用字母表示器件分档，A、B、C、D表示同一型号器件的不同档别（详见表1－11）。

表1－11　美国电子工业协会半导体分立器件各部分字母意义

例如：

（1）JAN2N3251A（2）1N4001