国产半导体器件的型号命名方法

1.国产半导体器件的型号命名方法

国产半导体器件的型号命名是根据国家标准GB/T 249—1989规定，由以下五部分组成的。

第一部分，用数字表示器件有效电极的数目，通常用2表示二极管。

第二部分，用汉语拼音字母表示器件材料和极性，如表1.6.1所示。

表1.6.1　国产半导体器件型号材料和极性部分的字母含义

第三部分，用汉语拼音字母表示器件的类型，如表1.6.2所示。

表1.6.2　国产半导体器件型号类型部分的字母含义

第四部分，用数字表示器件序号，反映了各种型号的器件在直流参数、交流参数和极限参数等方面的差别。

第五部分，用汉语拼音字母表示规格，反映了其承受反向击穿电压的程度，规格号一般为A、B、C、D，其中A承受的反向击穿电压最低。

例如，型号2AP9 ： A表示N型锗材料，P表示普通管，9表示序号。因此，该型号二极管为N型锗材料普通检波二极管。

又如，型号2CZ55A：C表示N型硅材料，Z表示整流管，55表示序号，A表示规格。该型号二极管为N型硅材料整流二极管。

2.日本生产的半导体器件型号命名方法

日本生产的半导体器件型号命名由五至七个部分组成，通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下。

第一部分，用数字表示半导体器件有效电极数目或类型。0表示光电二极管、三极管或其组合管，1表示二极管。

第二部分，用S表示已在日本电子工业协会（JEIA）注册登记的半导体分立器件。

第三部分，用字母表示该器件使用的材料、极性和类型。如F表示P控制极晶闸管。

第四部分，用数字表示该器件在日本电子工业协会的登记号。两位以上的整数，从11开始，表示在JEIA登记的顺序号。不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号，数字越大，越是近期产品。

第五部分，用字母表示同一型号的改进型产品，通常用A、B、C、D、E、F表示该器件为原型号产品的改进产品。

3.美国半导体器件的型号命名方法

美国电子工业协会半导体分立器件的型号命名由以下五部分组成。

第一部分为前缀，用符号表示器件的类别。如JAN或J表示该器件为军用品，JANTX表示特军级，JANTXV表示超特军级，JANS表示宇航级等，若无符号则表示是非军用品。

第二部分，用数字表示PN结数目，如数字1表示该器件为二极管。

第三部分，用字母N表示该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。

第四部分，用多位数字表示该器件在美国电子工业协会（EIA）的注册登记号。

第五部分，用字母表示同一型号器件的档次，通常用字母A、B、C、D等表示。

例如，型号1N4007：1表示是二极管，N表示EIA注册标志，4007是在EIA的注册登记号。

常用的1 N4000系列二极管耐压比较如表1.6.3所示。

表1.6.3　常用的1 N4000系列二极管耐压值与电流值

4.国际电子联合会半导体器件的型号命名方法

德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家及一些东欧国家，大多采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法，它由以下四部分组成。

第一部分，用字母表示半导体器件的材料。具体介绍如下。

A表示器件使用的禁带宽度Eg=0.6～1.0 eV，如锗。

B表示器件使用材料的Eg=1.0～1.3 eV，如硅。

C表示器件使用材料的Eg＞1.3 eV，如砷化镓。

D表示器件使用材料的Eg＜0.6 eV，如锑化铟。

E表示器件使用复合材料及光电池使用的材料。如表1.6.4所示。

表1.6.4　字母与半导体器件材料的对应关系

第二部分，用字母表示半导体器件的类别。如表1.6.5所示。

表1.6.5字母与半导体器件类别的对应关系

第三部分，用数字或字母与数字混合的方式来表示元器件的登记序号。通用器件的登记序号用三位数字表示，专用器件的登记序号用一个字母加两位数字表示。

第四部分，用字母A～E表示同一型号器件的档次。

除以上四个基本部分外，有时为区别特性或进一步分类而对器件命名加后缀。常见后缀有如下几种。

（1）稳压二极管的后缀的表示方法。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、 B、 C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，表示小数点，字母V后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。

（2）整流二极管的后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。

此外，还有诸如欧洲早期半导体分立器件型号命名方法，在此不做赘述，有兴趣的读者可以查阅相关资料。