半导体器件的命名

1．国产半导体分立器件的命名

国产半导体分立器件由5个部分组成，前3个部分的符号意义见表2－6。第4部分用数字表示器件序号，第5部分用汉语拼音字母表示规格号，详见表2－6。

表2－6 中国半导体分立器件型号命名法第一、二、三部分的意义

例1 2AP9“2”表示二极管，“A”表示N型锗材料，“P”表示普通管，“9”表示序号。

例2 3DG8“3”表示三极管，“D”表示NPN硅材料，“G”表示高频小功率管，“8”表示序号。

2．进口半导体器件的命名

目前市场上半导体器件除国产外，还有大量来自日本、韩国、美国和欧洲等国家的产品。在众多的产品中，各国都有一套自己的型号命名方法。如果掌握它们的命名特点后，就可灵活地选用其产品。下面介绍常用的几个国家、地区生产的晶体管命名方法。

(1)日本半导体分立器件型号命名方法

日本晶体管型号均按日本工业标准J1S——C——012规定的日本半导体分立器件型号命名方法命名。日本半导体分立器件型号由5个部分组成，其符号及意义见表2－7。

表2－7 日本半导体分立器件型号命名方法

例3 2SD342“2”表示三极管，“S”表示JEIA注册产品，“D”表示NPN低频晶体管，“342”表示JEIA登记号。

例4 2SC302A“2”表示三极管，“S”表示JEIA注册产品，“C”表示PNP高频晶体管，“302”表示JEIA登记号，“A”表示是改进产品。

(2)美国半导体分立器件型号命名方法

美国电子工业协会(E1A)的半导体分立器件型号命名方法规定，半导体分立器件型号有5部分组成，第一部分为前缀，第五部分为后缀，中间三部分为型号的基本部分。这5部分的符号及意义见表2－8。

表2－8 美国半导体分立器件型号命名方法

例5 JAN2N3553“JAN”表示军用品，“2”表示三极管，“N”表示EIA注册标志，“3553”表示EIA登记号

例6 2N1050C“2”表示三极管，“N”表示EIA注册标志，“1050”表示EIA登记号，“C”表示为改进型。

(3)欧洲半导体分立器件型号命名方法

欧洲国家大都使用国际电子联合会的标准半导体分立器件型号命名方法对晶体管型号命名，其命名法由4个基本部分组成，见表2－9。

表2－9 欧洲半导体分立器件型号命名方法

例7 BZY88C“B”表示硅材料，“Z”表示稳压二极管，“Y88”表示专用器件登记号，“C”表示容许误差±5%。

例8 BU406D“B”表示硅材料，“U”表示大功率三极管，“406”通用器件登记号，“D”BU406器件的D挡。

另外，市场除以上几种常见的晶体管之外，出现了许多韩国三星电子公司的90＊＊系列的小型晶体管，应用在各个领域，而它的命名并没有一定的规律，只要是以4位数字来表示型号和作用，具体如表2－10所示。

表2－10 三星电子公司产品型号

3．分类

半导体分立器件种类很多，分类方式有多种。按半导体材料可分为硅管与锗管; 按极性可分为N型与P型，PNP型与NPN型; 按结构及制造工艺可分为扩散型、合金型与平面型;按电流容量可分为小功率管、中功率管与大功率管; 按工作频率可分为低频管、高频管与超高频管; 按封装结构可分为金属封装、塑料封装、玻璃钢壳封装、表面封装与陶瓷封装; 按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿管、带阻尼晶体管、光敏与磁敏晶体管等多种类型。表2－11是按晶体管特点进行的分类。

表2－11 半导体分立器件分类