【摘要】：在光伏企业中常用的减反射膜是SiN，制备技术是等离子增强化学气相沉积PECVD。图7－22为SiN减反射膜的制备过程。但是PECVD沉积氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，Si/N变化的范围在0．75～2。除了Si和N，PECVD的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即SixNyHz或SiNx∶H。
在光伏企业中常用的减反射膜是SiN，制备技术是等离子增强化学气相沉积PECVD。其制备原理为：利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。图7－22为SiN减反射膜的制备过程。
图7－22 Si3N4减反射膜的制备过程
发生的反应方程式为
正常的SiNx的Si/N之比为0．75，即Si3N4。但是PECVD沉积氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，Si/N变化的范围在0．75～2。除了Si和N，PECVD的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即SixNyHz或SiNx∶H。
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