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离子成像“开花”效应

时间:2024-10-23 百科知识 版权反馈
【摘要】:为了定量地研究离子打印头潜像的“开花”效应,针对介质阻挡放电离子打印头专门以有限单元法建立了数值模型。图7-30所示电场线分布是绝缘成像介质(涂布层)表面堆积一定量电荷后的结果,绝缘涂布层的厚度18μm,相对介电常数ε=3;图中的电场线已产生了畸变,随着电场线接近绝缘成像介质,电场线的尾部出现“开花”效应,与充电前相比,记录点潜像尺寸比原来的离子束直径明显增加。

7.4.5 离子成像“开花”效应

为了定量地研究离子打印头潜像的“开花”效应,针对介质阻挡放电离子打印头专门以有限单元法建立了数值模型。这种模型并不试图重建放电电极的物理过程,而是致力于建立静电场和电荷离开放电电极时的漂移/扩散运动。冷状态的等离子体以边界条件替代,对应于电荷注射到喷嘴中心绝缘层的条件。典型的二维电场分布如图7-30所示,包括介质阻挡放电离子打印头的横截面结构示意和电场线分布,以喷嘴口的电荷密度为最高。

图7-30所示电场线分布是绝缘成像介质(涂布层)表面堆积一定量电荷后的结果,绝缘涂布层的厚度18μm,相对介电常数ε=3;图中的电场线已产生了畸变,随着电场线接近绝缘成像介质,电场线的尾部出现“开花”效应,与充电(发生离子)前相比,记录点潜像尺寸比原来的离子束直径明显增加。

如同静电照相那样,离子成像数字印刷也通过墨粉对电荷潜像显影。显然,显影效果与众多因素有关,例如潜像电场、绝缘涂布层厚度和墨粉特性等,因而显影工艺与绝缘层厚度和要求的潜像电场(电压)存在密切的关系。抽取电场具有聚焦效应,随着抽取电场数值的提高,记录点尺寸更接近预“开花”离子束的直径,说明增加抽取电场的数值有利于保持潜像记录点尺寸的稳定性。

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图7-30 离子束开花的有限单元模型计算结果

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