场效应管的栅极阻抗是多大

3.7　场效应晶体管

场效应管（Field Effect Transistor）是一种利用电场效应来控制多数载流子运动的半导体器件，缩写为FET。

3.7.1　场效应管的特点

（1）电场控制型。其工作原理类似于电子管，它是通过电场作用控制半导体中的多数载流子运动，达到控制其导电能力，故称之为“场效应”。

（2）单极型导电方式。在场效应管中，参与导电的多数载流子仅为电子（N沟道）或空穴（P沟道）一种，在场作用下的漂移运动形成电流，故也称为单极型晶体管。而不像晶体管，参与导电的同时有电子与空穴的扩散和复合运动，属于双极型晶体管。

（3）输入阻抗很高。场效应管输入端的PN结为反向偏置（结型场效应管）或绝缘层隔离（MOS场效应管），因此其输入阻抗远远超过晶体三极管。通常，结型场效应管的输入阻抗为10⁷Ω～10¹⁰Ω，尤其是绝缘栅型场效应管，输入阻抗可达10¹²～10¹³Ω。而普通的晶体三极管的输入阻抗为1kΩ左右。

（4）抗辐射能力强。它比晶体三极管的抗辐射能力强千倍以上，所以效应管能在核辐射和宇宙射线下正常工作。

（5）噪声低、热稳定性好。

（6）便于集成。场效应管在集成电路中占有的体积比晶体三极管小，制造简单，特别适于大规模集成电路。

（7）容易产生静电击穿损坏。由于输入阻抗相当高，当带电荷物体一旦靠近金属栅极时很容易造成栅极静电击穿，特别是MOSFET，其绝缘层很薄，更易击穿损坏。故要注意栅极保护，应用时不得让栅极“悬空”，贮存时应将场效应管的三个电极短路，并放在屏蔽的金属盒内，焊接时电烙铁外壳应接地，或断开电烙铁电源利用其余热进行焊接，防止电烙铁的微小漏电损坏场效应管。

3.7.2　场效应管的检测

1.结型场效应管栅极判别

根据PN单向导电原理，用万用表R×1k挡，将黑表笔接在管子一个极，红表笔分别接触另外两个电极，若测得电阻都很小，则黑表笔所接的是栅极，且管子为N型沟道场效应管。对于P型沟道场效应管栅极的判断法，可自行分析。

2.结型场效应管好坏及性能判别

根据判别栅极的方法，能粗略判别管子的好坏。当栅源间、栅漏间反向电阻很小时，说明管子已损坏。若要判别管子的放大性能可将万用表的红、黑表笔分别接触源极和漏极，然后用手碰触栅极，表针应偏转较大，说明管子放大性能较好，若表指针不动，说明管子性能差或已损坏。