【摘要】：热探针和N型半导体接触时，传导电子将流向温度较低的区域，使得热探针处电子缺少，因而其电势相对于同一材料上的室温触点而言是正的。热电动势法测量装置的应用范围一般只限于低阻材料。如果电阻率足够高，热探针可能使材料处于本征状态。这样电子迁移率总是高于空穴迁移率，测量结果将都是指示出材料为N型。由于太阳能电池铸锭硅料电阻率一般都低于20Ω·cm，因此一般都用上述两种方法测量硅料的导电型号。
热探针和N型半导体接触时，传导电子将流向温度较低的区域，使得热探针处电子缺少，因而其电势相对于同一材料上的室温触点而言是正的。同样道理，对P型半导体热探针相对于室温触点而言将是负的，热探针的结构可以是将小的加热线圈绕在一个探针的周围，也可用小型电烙铁，如图8－2（a）所示。电势差可以用简单的微伏表测量，也可用更灵敏的电子仪器放大后测量，还可用共线三探针装置测量方法是：让电流在最边上的一个探针1和与其相邻的另一个探针2之间流动，使半导体内产生温度梯度，这样2、3两个探针将处于不同的温度而产生电势差，由此能判别型号，如图8－2（b）所示。热电动势法测量装置的应用范围一般只限于低阻材料。如果电阻率足够高，热探针可能使材料处于本征状态。这样电子迁移率总是高于空穴迁移率，测量结果将都是指示出材料为N型。为了防止这种情况的产生，可用冷探针来代替热探针，其原理与热探针完全相同，此处不再重复。
图8－2 热电动势法导电型号测试仪示意图
由于太阳能电池铸锭硅料电阻率一般都低于20Ω·cm，因此一般都用上述两种方法测量硅料的导电型号。在测量时探针上应该施加一定的压力，如果探针压强太小，则会产生错误读数。在电阻率大于1Ω·cm的情形下，引线应采用屏蔽导线。电流表一般采用中心指零式，至少应有满刻度200μA的灵敏度。
免责声明：以上内容源自网络，版权归原作者所有，如有侵犯您的原创版权请告知，我们将尽快删除相关内容。
