直拉单晶硅

直拉法又称切克劳斯基法，它是在1917年由切克劳斯基（Czochralski）建立起来的一种晶体生长方法，简称CZ法，该法是在直拉单晶炉内，向盛有熔硅的坩埚中，引入籽晶作为非均匀晶核，然后控制热场，将籽晶旋转并缓慢向上提拉，单晶便在籽晶下按照籽晶的方向长大。拉出的液体固化为单晶，调节加热功率就可以得到所需的单晶棒的直径。其优点是晶体被拉出液面不与器壁接触，不受容器限制，因此晶体中应力小，同时又能防止器壁沾污或接触所可能引起的杂乱晶核而形成多晶。直拉法是以定向的籽晶为生长晶核，因而可以得到有一定晶向生长的单晶。

直拉法制成的单晶完整性好，直径和长度都可以很大，生长速率也高，所用坩埚必须由不污染熔体的材料制成。因此，一些化学性活泼或熔点极高的材料，由于没有合适的坩埚而不能用此法制备单晶体，而要改用区熔法晶体生长或其他方法。直拉法和区熔法比较，以直拉法为主要，它投料多，生产的单晶直径大，设备自动化程度高，工艺比较简单，生产效率高。直拉法生产的单晶硅，占世界单晶硅总量的80%以上。