【摘要】：半导体纳米线的表征是揭示半导体纳米线的晶体结构和物理特性的重要手段。单晶X射线衍射技术可以用来获取晶体的晶格面间距，以及纳米线生长的取向等信息。衍射信号为样品表面几平方毫米内信息的平均结果，信号来自样品表面的数百万根纳米线。为确定纳米线的形貌，需要使用不同类型的电子显微镜来观察单根纳米线，以及纳米线之间的结构变化。扫描电子显微镜可以用于观察纳米线的大致形貌，其分辨率可以达到几纳米。
2.3 半导体纳米线的表征技术
半导体纳米线的表征是揭示半导体纳米线的晶体结构和物理特性的重要手段。单晶X射线衍射技术可以用来获取晶体的晶格面间距，以及纳米线生长的取向等信息。衍射信号为样品表面几平方毫米内信息的平均结果，信号来自样品表面的数百万根纳米线。为确定纳米线的形貌，需要使用不同类型的电子显微镜来观察单根纳米线，以及纳米线之间的结构变化。扫描电子显微镜可以用于观察纳米线的大致形貌，其分辨率可以达到几纳米。透射电子显微镜的电子束可以穿透待观察样品，形成明暗不同的影像，可以观测到精确到原子层的晶体结构。在电子显微镜中，当电子束与样品发生碰撞时会产生X射线，可以通过这种方式来判断样品的元素组成，这一技术被称为X射线能量色散谱（XEDS）。本节的最后介绍了光致发光技术。光致发光所采用的激发光源具有大于半导体带隙的光子能量，能够使半导体内产生电子空穴对，当电子空穴对重新复合时又会激发出低能光子，从激发光子的光谱中，可以获取样品的带隙和能带结构等信息。
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