存储器主要指标

4.3/存储器主要指标

存储器是具有“记忆”功能的设备，它用具有两种稳定状态的物理器件来表示二进制数码“0”和“1”，这种器件称为记忆元件或记忆单元。

位（bit）是二进制数的最基本单位，也是存储器存储信息的最小单位，8位二进制数称为一个字节（Byte），可由一个字节或若干个字节组成一个字（Word），在PC机中一般认为1个或2个字节组成1个字。若干个忆记单元组成1个存储单元，大量的存储单元的集合组成1个存储体（Memory Bank）。为了区分存储体内的存储单元，必须将它们逐一进行编号，称为地址。地址与存储单元之间一一对应，且是存储单元的唯一标志。应注意存储单元的地址和它里面存放的内容完全是不同的。

半导体存储器芯片的主要技术指标包括存储容量、存取速度和制作工艺等。

（1）存储容量

储存容量指所含基本存储单元的总数。该项指标对于厂商，多用总的位容量来进行描述，如某芯片容量为256 Mbit（256兆位）；对于用户，一般用“A×B位”的形式来进行描述，其中A表示芯片中有多少个芯片字，B表示芯片字的位数。“A×B位”的形式既表明了每次读/写的位数，也反映出芯片的地址线和数据线的设置情况：A与芯片的地址线的位数直接相关，B决定了数据线的条数。

（2）存取速度

存取速度可用以下两参数中的一个来进行描述：

① 存取时间（Access Time），即TA，指从存取命令发出到操作完成所经历的时间。

② 存取周期（Access Cycle），即TAC，指在对存储器进行连续访问的情况下每次访问所需的最小时间。因为在一次数据访问后，芯片不可能无间歇地进入下一次访问，所以TAC要略大于TA。在表示上，该参数常表示为读周期TRC或写周期TWC，存取周期TAC是其统称。

在微型计算机系统中，存储器的存取速度必须和CPU的时序或系统总线时序相匹配，如果它跟不上CPU时序，就要在CPU的总线周期中插入等待周期，以延长读/写操作的时间。

（3）存取周期

存储器的两个基本操作为读出与写入，是指将信息在存储单元与存储寄存器（MDR）之间进行读写。存储器从接收读出命令到被读出信息稳定在MDR的输出端为止的时间间隔，称为取数时间TA；两次独立的存取操作之间所需的最短时间称为存储周期TMC。

（4）存储器的可靠性

存储器的可靠性用平均故障间隔时间MTBF来衡量。MTBF可理解为两次故障之间的平均时间间隔。MTBF越长，表示可靠性越高，即保持正确工作能力越强。