【摘要】：我国经济长时间高速发展，使中国成为全球第二大集成电路市场，但目前国内市场自给率不到25%，尤其是在代表IC水平的计算机中央处理器方面，国内的技术差距就更大。近年来我国微电子取得关键技术的突破，成功开发出863众志、龙芯等CPU。在全固态激光器技术方面，我国在国际上首次研制成功具有自主知识产权的深紫外六倍频全固态激光器和宽调谐全固态激光器。
在微电子技术方面，几十年来其发展一直遵循摩尔定律，即集成度平均每18个月翻一番，30年时间内尺寸减小1000倍，性能提高1万倍。由于CMOS（金属氧化物半导体）的技术极限被不断突破，在可预见的十多年内，摩尔定律仍将持续起作用。我国经济长时间高速发展，使中国成为全球第二大集成电路（IC）市场，但目前国内市场自给率不到25%，尤其是在代表IC水平的计算机中央处理器（CPU）方面，国内的技术差距就更大。近年来我国微电子取得关键技术的突破，成功开发出863众志、龙芯等CPU。可喜的是以64位通用高性能CPU为代表，以龙芯（Goodson）为例，相同主频下Goodson-2的性能已经明显超过PII，Goodson-2E则相当于P4水平，但在自主产权的核心技术方面仍然落后国际先进水平几年。目前，微电子技术进入纳米尺寸和System-on-Chip时代，CPU时钟进入GHz。中国具有较强整机系统设计能力，SOC时代的到来是我国IC产业跨越发展的机遇。
我国在光电子技术方面也有所突破，在国际上独立提出并实现了优于现有其他结构性能的40Gb/sDFB+EA（带电吸收的分布反馈激光器）和SOA＋EA（带电吸收的半导体光放大器）。研制出国际领先的可调谐长波长探测器，包括Si基和GaAs基垂直腔RCE（共振腔增强型）和WDM（波分复用）光纤通信系统用的OMITMiC（一镜斜置三镜腔）探测器。在全固态激光器技术方面，我国在国际上首次研制成功具有自主知识产权的深紫外六倍频全固态激光器和宽调谐全固态激光器。
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