【摘要】：有害杂质主要有过渡族金属，如铜、铁、镍、钒、铬、锰离子和OH根。这些杂质在生产过程中如果仍然残留于光纤中，就会造成很大的吸收损耗。过渡族金属都是以离子态残留于光纤之中，各有各的吸收带。如果它们的吸收峰落入使用波段，即使浓度很小，也会造成很大损耗。OH根是光纤损耗增大的重要来源。
有害杂质主要有过渡族金属，如铜、铁、镍、钒、铬、锰离子和OH根。这些杂质在生产过程中如果仍然残留于光纤中，就会造成很大的吸收损耗。
过渡族金属都是以离子态残留于光纤之中，各有各的吸收带。如果它们的吸收峰落入使用波段，即使浓度很小，也会造成很大损耗。表5.2.2给出了损耗降低到1dB／km以下时，在吸收峰附近的离子浓度的限制。
表5.2.2 过渡族金属离子的吸收峰
OH根是光纤损耗增大的重要来源。历史上为了降低光纤损耗主要是和OH根进行斗争。利用管内法（MCVD法）制造光纤预制棒时，要尽量与空气中的水分隔离。利用管外法（OVD法和VAD法）制造光纤预制棒时，在制造过程中都要通Cl2气进行脱水处理。OH根的吸收峰的基频对应于红外区的波长为2.73μm，它的二次、三次及组合谐波波长分别为1.39μm，0.95μm和1.24μm，它们均落入光纤通信的使用波段（实际上3个吸收峰受其他因素影响稍有偏离），因此，常用λ＝1.39μm处的口值来反映脱水效果的优劣。比较好的脱水效果，可做到α1.39≤2dB／km以下。损耗与OH根质量分数的关系一般可近似认为
其中，ωOH为OH根质量分数，kα＝（50～55）×10－5dB／km。当今的光纤，已经可以将OH根的质量分数控制在10－9以下，其α1.39＜0.05dB／km。这时1.3μm和1.55μm两个窗口互相连通，形成了1.2μm到1.6μm的很宽的低损耗带。
由于很好地控制了以上3种损耗，目前世界上最好的日本Z光纤，在λ＝1.55μm处损耗已达0.154dB／km。
免责声明：以上内容源自网络，版权归原作者所有，如有侵犯您的原创版权请告知，我们将尽快删除相关内容。
